KDB-3雙組合四探針方阻/電阻率測試儀

1、概述

KDB-3型雙組合四探針方阻/電阻率測試儀（以下簡稱電阻率測試儀）是用來測量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶、鍺單晶、硅片）電阻率，以及擴散層、外延、離子注入、化學(xué)氣相、或其他淀積工藝在硅襯底上形成的薄膜方塊電阻的測量儀器。它主要由電氣測量部份（簡稱：主機）、測試架及四探針頭組成。

雙組合測試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測量半導(dǎo)體電阻率或薄層電阻的方法。在本測試方法中，在測試樣品的每個測量位置上，以兩種不同的方式（配置）將探針連接到提供電流和測量電壓的電路中。四探針的這種使用法通常被稱為“雙配置”或“配置切換”測量。單組合四探針相比，用較小間距的探針頭**可以進(jìn)行高精度的測量，從而可獲得更高的晶片薄層電阻變化的空間分辨率。

本儀器的特點是主機配置雙數(shù)字表，在測量電阻率的同時，另一塊數(shù)字表（以萬分之幾的精度）適時監(jiān)測全程的電流變化，免除了測量電流/測量電阻率的轉(zhuǎn)換，更及時掌控測量電流。主機還提供精度為0.05%的恒流源，使測量電流高度穩(wěn)定。本機配有恒流源開關(guān)，在測量某些薄層材料時，可免除探針尖與被測材料之間接觸火花的發(fā)生，更好地保護(hù)箔膜。儀器配置了本公司的產(chǎn)品：“小游移四探針頭”，探針游移率在0.1～0.2%。保證了儀器測量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。本機可加配KDY測量系統(tǒng)，測量硅片時可自動進(jìn)行厚度、直徑、探針間距的修正，并計算出硅片電阻率、徑向電阻率的**大百分變化、平均百分變化、徑向電阻率不均勻度，給測量帶來很大方便。

2、主機技術(shù)能數(shù)

（1）測量范圍：

        可測電阻率：0.0001～19999Ω·cm

        可測方塊電阻：0.001～199999Ω/□

（2）恒流源：

        輸出電流：DC  0.001～100mA   五檔連續(xù)可調(diào)

        量程：0.001～0.01mA    0.01～0.10mA       0.10～1.0mA       1.0～10mA     10～100mA

        恒流精度：各檔均低于±0.05%

（3）直流數(shù)字電壓表：

         測量范圍：0～199.99mV

         靈敏度：10μV

         基本誤差：±（0.004%讀數(shù)+0.01%滿度）

         輸入阻抗：≥1000MΩ

（4）測量精度：電器精度：1－1000歐姆≤0.3%

         整機測量精度：1－1000歐姆·厘米≤3%

（5）供電電源：

         AC  220V±10%    50/60  Hz    功率：12W

（6）使用環(huán)境：溫度：23±2℃   相對濕度：≤65%

         無較強的電場干擾，電源隔離濾波，無強光直接照射

（7）重量、體積：

         主機重量：6.5kg

         體積：420（含前把手）×360×150（含底腳）（單位：mm  長度×寬度×高度）

                 該儀器可選配KDY四探針測試系統(tǒng)連接計算機軟件進(jìn)行測量，測試結(jié)果更加準(zhǔn)確、簡便，測量數(shù)據(jù)自動保存，可進(jìn)行導(dǎo)出excel等操作，便于保存數(shù)據(jù)。

KDY四探針測試軟件系統(tǒng)測量界面